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10月DRAM和NAND闪存价格开始反弹 这下真要涨价了

　　【手机中国新闻】11月3日，手机中国注意到，存储行业减产效应正式显现，DRAM和NAND闪存的固定交易价格分别在过去两年中和过去三个月中首次出现反弹。据统计，截至10月31日，DRAM PC通用产品DDR4 8千兆位1G*8 2133MHz的平均固定交易价格为1.50美元，环比增长15.38%。截至同日，用于NAND存储卡/USB的128Gb 16G*8多层单元 (MLC) 通用产品的平均固定交易价格为3.88美元，环比上涨1.59%。

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　　此前，由于存储新品行业产量远远大于需求量，终端市场上的存储产品价格出现了大幅度下降。虽然对于消费者而言，200块钱可以买到1TB的PCIe 3.0 TLC颗粒固态硬盘确实是一件好事，但是对于各大存储芯片厂商而言，过低的价格严重影响了它们的营收和利润。例如，海力士在最新的一份财报中就交出了亏损的成绩。

和值走势：最近10期和值走势为：(5)→(19)→(13)→(17)→(16)→(17)→(13)→(16)→(23)→(19)，和值升降平次数比为5:5:0，上期和值降低4点，本期看好和值继续降低，关注和值10。

百位分析：该位最近10期开出了4个0路号码、6个1路号码、2路号码全部轮空，1路号码热出，2路号码走冷。本期排除1路号码，参考号码：9。

组选号码分析：上期开出奖号739，号码3最近10期出现了2次，表现较冷，号码7出现了6次，表现较热，号码9出现了4次，走势相对较冷，上期号码总体走势一般，本期预计奖号以冷码为主，关注低频次号码。另外，在组选形态方面，组六号码出现了7次，组六强势开出，本期看好继续开出组六号码。

号码大小：上期号码开出两大一小组合，最近100期两大一小组合出现了34次，其下期两小一大出现10次，两大一小出现14次，全大出现6次，全小出现3次，本期看好开出两小一大组合。

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　　目前，随着三星、海力士等厂商的减产，存储芯片的价格正在稳步回升。11月2日，《台湾经济日报》报道称，半导体业内多位消息人士消息称，三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%，此举远超业界预期。

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